中微半导：即将推出首款非易失性存储器芯片

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　　每经AI快讯，1月19日，中微半导(688380.SH)公告称，公司即将推出首款非易失性存储器芯片，该产品为4M bit容量的低功耗SPI NORFlash，存储阵列共2048个可编程页，每页容量为256字节，单次可编程写入数据量最高可达256字节，支持多种擦除模式，具有低成本、低功耗、SPI高速读写、掉电不丢失特点，适配小存储需求场景。新产品的发布是公司实施“MCU+”战略的最新成果，丰富了公司产品矩阵和形态，拓宽了应用场景，预计对公司未来发展产生积极影响。

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